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再一次领先!三星成功完成5nm EUV开发

2019-08-13 15:46:48 IT中国 ITCN 分享

  作为世界半导体技术的领导者之一,三星电子有限公司近日宣布,其研发的5纳米 FinFET工艺技术已经基本完成,准备好接受客户所发来的设计样品。三星通过对极紫外线(EUV)工艺产品的又一个产品节点的胜利,证明了其在晶圆代工市场的地位仍然是不可撼动的。


  与7纳米相比,三星的5纳米FinFET工艺技术可将逻辑区域效率提高25%,功耗降低20%,性能提高10%,从而使我们能够拥有更多的标准单元架构。除了从7纳米到5纳米的功率性能区域(PPA)改进之外,客户还可以充分利用三星的高度复杂的EUV技术。与其前身一样,5纳米在金属层图案化中使用EUV光刻,并减少了掩模层,同时提供更好的保真度。

  并且,5纳米的另一个好处是厂商可以将在7纳米上使用的IP直接运用到5纳米上,这将大大降低厂商的迁移成本,应用生态系统以及缩短5纳米的产品开发时间。


  自2018年第四季度开始,三星Foundry与其“三星高级代工生态系统(SAFE)”合作伙伴密切合作,为三星5纳米提供强大的设计基础架构,包括工艺设计套件(PDK),设计方法(DM),电子设计自动化(EDA)工具和IP。此外,三星Foundry已经开始向客户提供5nm多工程晶圆(MPW)服务。

  “成功完成5纳米开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力”,三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们将继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。” 

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